No JavaScript support!
To take full advantage of this digital library, please verify if your browser supports JavaScript.
loading...
Polish English
Badanie zarodkowania fluorantenu w roztworach w 1,2-dichloroetanie metodą ultradźwiękowąBadanie zarodkowania fluorantenu w roztworach w 1,2-dichloroetanie metodą ultradźwiękową
Find similar objects | Add to bibliography
The investigation of the growth morphology of naphthalene crystalsThe investigation of the growth morphology of naphthalene crystals
X-ray examinations of acenaphthene, fluoranthene and pyrene crystals grown from solutionsX-ray examinations of acenaphthene, fluoranthene and pyrene crystals grown from solutions
Badanie szerokości obszaru metastabilnego roztworów wzrostowych fluorantenu w trichloroetylenieBadanie szerokości obszaru metastabilnego roztworów wzrostowych fluorantenu w trichloroetylenie
Kinetyka wzrostu kryształów szczawianu amonu rosnących z roztworów wodnych w warunkach szczególnychKinetyka wzrostu kryształów szczawianu amonu rosnących z roztworów wodnych w warunkach szczególnych
Mikromorfologia kryształów szczawianu amonu otrzymywanych z roztworów wodnych w warunkach szczególnychMikromorfologia kryształów szczawianu amonu otrzymywanych z roztworów wodnych w warunkach szczególnych
Kinetyka wzrostu ścian kryształu z roztworów wodnych w pobliżu krzywej nasyceniaKinetyka wzrostu ścian kryształu z roztworów wodnych w pobliżu krzywej nasycenia
Nanostructured porous silicon: Properties modificationNanostructured porous silicon: Properties modification
Space-charge-perturbed and space-charge-limited current transients in disordered solidsSpace-charge-perturbed and space-charge-limited current transients in disordered solids
Wolnorodnikowy charakter produktów termolizowanej skrobiWolnorodnikowy charakter produktów termolizowanej skrobi
Własności elektryczne chitozanu i octanu chitozanuWłasności elektryczne chitozanu i octanu chitozanu
Naprężenia własne a rozkład defektów krystalograficznych w płytkach Cz-Si po technologii CMOSNaprężenia własne a rozkład defektów krystalograficznych w płytkach Cz-Si po technologii CMOS
Mechanizmy przewodnictwa elektrycznego w cienkich warstwach p-trójfenyluMechanizmy przewodnictwa elektrycznego w cienkich warstwach p-trójfenylu
Absorpcja wodoru oraz krystalograficzne charakterystyki stopu LaNi4.4Zn0.6Absorpcja wodoru oraz krystalograficzne charakterystyki stopu LaNi4.4Zn0.6
Przejścia fazowe w szkle metalicznym Co66Ni12Si9B13Przejścia fazowe w szkle metalicznym Co66Ni12Si9B13