No JavaScript support!
To take full advantage of this digital library, please verify if your browser supports JavaScript.
loading...
Polish English
Recent advancements in the theoretical description of thermally stimulated relaxation phenomenaRecent advancements in the theoretical description of thermally stimulated relaxation phenomena
Find similar objects | Add to bibliography
Własności elektryczne chitozanu i octanu chitozanuWłasności elektryczne chitozanu i octanu chitozanu
Spis treściSpis treści
On the application of quasi-equilibrium conditions to the numerical analysis of simultaneous TL/TSC measurementsOn the application of quasi-equilibrium conditions to the numerical analysis of simultaneous TL/TSC measurements
Spectrally resolved thermoluminescence measurements in poly(N-vinylcarbazole) blendsSpectrally resolved thermoluminescence measurements in poly(N-vinylcarbazole) blends
Absorption and luminescence spectra of a modified epoxy resinAbsorption and luminescence spectra of a modified epoxy resin
Modelling and the inverse problem in spectrally resolved thermoluminescenceModelling and the inverse problem in spectrally resolved thermoluminescence
Nanostructured porous silicon: Properties modificationNanostructured porous silicon: Properties modification
Space-charge-perturbed and space-charge-limited current transients in disordered solidsSpace-charge-perturbed and space-charge-limited current transients in disordered solids
Influence of sample heating mode on thermally stimulated currents in amorphous solidsInfluence of sample heating mode on thermally stimulated currents in amorphous solids
Energy dissipation mechanism in oxides with garnet structure doped 4f-5d transitions rare earth ionsEnergy dissipation mechanism in oxides with garnet structure doped 4f-5d transitions rare earth ions
The investigation of the growth morphology of naphthalene crystalsThe investigation of the growth morphology of naphthalene crystals
Funkcje rozkładu radialnego dla półprzewodników amorficznych As-Ge-SFunkcje rozkładu radialnego dla półprzewodników amorficznych As-Ge-S
Gęstość prądu całkowitego w półprzewodniku niejednorodnym ze zmienną przerwą energetyczną w obecności nośników nadmiarowych i gradientu temperaturyGęstość prądu całkowitego w półprzewodniku niejednorodnym ze zmienną przerwą energetyczną w obecności nośników nadmiarowych i gradientu temperatury
Polarizability anisotropy of CnH2n+1OC6H4C(O)OH liquid crystal moleculesPolarizability anisotropy of CnH2n+1OC6H4C(O)OH liquid crystal molecules